[14195個在庫]
- 品番:
- FQA85N06
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQA85N06 electronic components. FQA85N06 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA85N06, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQA85N06 製品の属性
品番 :
FQA85N06
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
112nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4120pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
214W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
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