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- 品番:
- PMF280UN,115
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PMF280UN,115 electronic components. PMF280UN,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMF280UN,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMF280UN,115 製品の属性
品番 :
PMF280UN,115
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.02A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
340 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.89nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
45pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
560mW (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-323-3
パッケージ/ケース :
SC-70, SOT-323
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