Infineon Technologies - BSB014N04LX3GXUMA1

KEY Part #: K6409639

BSB014N04LX3GXUMA1 価格設定(USD) [95125個在庫]

  • 1 pcs$0.41105

品番:
BSB014N04LX3GXUMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSB014N04LX3GXUMA1 製品の属性

品番 : BSB014N04LX3GXUMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 36A (Ta), 180A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 196nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 16900pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース : 3-WDSON

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