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- 品番:
- RDN120N25
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RDN120N25 electronic components. RDN120N25 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RDN120N25, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RDN120N25 製品の属性
品番 :
RDN120N25
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
250V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
210 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
62nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1224pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
40W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220FN
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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