[12355個在庫]
- 品番:
- STP8NM60N
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 7A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP8NM60N electronic components. STP8NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP8NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP8NM60N 製品の属性
品番 :
STP8NM60N
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
シリーズ :
MDmesh™ II
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
650 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
560pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
70W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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