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- 品番:
- APT40SM120B
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1200V 41A TO247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APT40SM120B electronic components. APT40SM120B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT40SM120B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT40SM120B 製品の属性
品番 :
APT40SM120B
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 1200V 41A TO247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
41A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
20V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 1mA (Typ)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
130nC @ 20V
Vgs（最大） :
+25V, -10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2560pF @ 1000V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
273W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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