Infineon Technologies - IRFP4110PBF

KEY Part #: K6406195

IRFP4110PBF 価格設定(USD) [19564個在庫]

  • 1 pcs$1.90382
  • 10 pcs$1.70022
  • 100 pcs$1.39407
  • 500 pcs$1.07097
  • 1,000 pcs$0.90323

品番:
IRFP4110PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFP4110PBF electronic components. IRFP4110PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFP4110PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFP4110PBF 製品の属性

品番 : IRFP4110PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 210nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9620pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 370W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AC
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • AUIRLR3705Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • AUIRLR3410

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • AUIRLR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • AUIRLR2703

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 20A DPAK.

  • AUIRLR2905

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • AUIRFR6215

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.