[12682個在庫]
- 品番:
- IRF7459
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7459 electronic components. IRF7459 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7459, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7459 製品の属性
品番 :
IRF7459
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.8V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2480pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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