技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
5.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 8V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 900mA, 8V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
3.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
533pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-PICOSTAR