Texas Instruments - CSD25485F5T

KEY Part #: K6410232

CSD25485F5T 価格設定(USD) [349429個在庫]

  • 1 pcs$0.10585

品番:
CSD25485F5T
メーカー:
Texas Instruments
詳細な説明:
CSD25485F5T.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Texas Instruments CSD25485F5T electronic components. CSD25485F5T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD25485F5T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD25485F5T 製品の属性

品番 : CSD25485F5T
メーカー : Texas Instruments
説明 : CSD25485F5T
シリーズ : FemtoFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 8V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 35 mOhm @ 900mA, 8V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3.5nC @ 4.5V
Vgs(最大) : -12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 533pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.4W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 3-PICOSTAR
パッケージ/ケース : 3-XFDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • FCD7N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FDD5810

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.

  • BSL211SPT

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP.

  • BSL207SPL6327HTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP.

  • IPB05N03LAT

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

  • IPB06N03LAT

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK.