IXYS - IXTY55N075T

KEY Part #: K6403996

[2165個在庫]


    品番:
    IXTY55N075T
    メーカー:
    IXYS
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in IXYS IXTY55N075T electronic components. IXTY55N075T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY55N075T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTY55N075T 製品の属性

    品番 : IXTY55N075T
    メーカー : IXYS
    説明 : MOSFET N-CH 75V 55A TO-252
    シリーズ : TrenchMV™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 75V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 55A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 19.5 mOhm @ 27.5A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 25µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1400pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 130W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    あなたも興味があるかもしれません
    • ZVP0120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • IRLR3715TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • IXTY55N075T

      IXYS

      MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.

    • HUF75829D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.