STP110N55F6 価格設定（USD） [30264個在庫]
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- 品番:
- STP110N55F6
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 55V 110A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP110N55F6 electronic components. STP110N55F6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP110N55F6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP110N55F6 製品の属性
品番 :
STP110N55F6
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N CH 55V 110A TO-220
シリーズ :
DeepGATE™, STripFET™ VI
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
110A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8350pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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