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ON Semiconductor - FDT3612

KEY Part #: K6396545

FDT3612 価格設定（USD） [375616個在庫]

  • 1 pcs$0.09847
  • 4,000 pcs$0.09557
品番:
FDT3612
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDT3612 electronic components. FDT3612 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDT3612, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDT3612 製品の属性

品番 : FDT3612
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 632pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223-4
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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