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- 品番:
- STW12NM60N
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STW12NM60N electronic components. STW12NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW12NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STW12NM60N 製品の属性
品番 :
STW12NM60N
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
シリーズ :
MDmesh™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
410 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
960pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
90W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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