SH8KA2GZETB 価格設定（USD） [185557個在庫]
- 1 pcs$0.19933
- 2,500 pcs$0.18248
- 品番:
- SH8KA2GZETB
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- 30V NCHNCH MIDDLE POWER MOSFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SH8KA2GZETB electronic components. SH8KA2GZETB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SH8KA2GZETB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SH8KA2GZETB 製品の属性
品番 :
SH8KA2GZETB
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
30V NCHNCH MIDDLE POWER MOSFET
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
-
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
28 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
330pF @ 15V
パワー-最大 :
2.8W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NTMD6N04R2G
- UPA2351T1P-E4-A
- MP6K13TCR
- ECH8651R-R-TL-HX
- SI4542DY-T1-GE3
- SI7905DN-T1-GE3
- NTMD2C02R2SG
- IPG20N06S4L14ATMA1
- NTZD3152PT1H
- EPC2100ENG
- CTLDM303N-M832DS TR
- ECH8675-TL-H
- AUIRF7379Q
- BSL207NL6327HTSA1
- SIA911DJ-T1-GE3
- SI5933CDC-T1-E3
- SI4906DY-T1-GE3
- IPG15N06S3L-45
- APTM50DSKM65T3G
- APTM50DSK10T3G
- APTM50DHM65TG
- APTC80A15T1G
- SI4501ADY-T1-E3
- SI1555DL-T1-E3
- IXTL2X220N075T
- ZXMN6A09DN8TC
- ZVN4206NTA
- FDJ1027P
- 2N7002V-TP
- NTMD6N02R2
- IRF5851
- IRF7901D1
- SQ3585EV-T1_GE3
- IPG20N04S408ATMA1
- SH8K4TB1
- SI4228DY-T1-GE3
- QS8K11TCR
- SI5513CDC-T1-GE3
- SI1967DH-T1-E3
- SSM6N7002BFE,LM