STMicroelectronics - STD8N60DM2

KEY Part #: K6419781

STD8N60DM2 価格設定(USD) [131849個在庫]

  • 1 pcs$0.28053
  • 2,500 pcs$0.24972

品番:
STD8N60DM2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
N-CHANNEL 600 V 0.26 OHM TYP..
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STD8N60DM2 electronic components. STD8N60DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD8N60DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD8N60DM2 製品の属性

品番 : STD8N60DM2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : N-CHANNEL 600 V 0.26 OHM TYP.
シリーズ : MDmesh™ DM2
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 375pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 85W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7000

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • AUIRFR3806TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFR5505TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • TK60S06K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3.

  • TK65S04K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3.

  • AUIRLR3410TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.