ON Semiconductor - FCMT099N65S3

KEY Part #: K6397415

FCMT099N65S3 価格設定(USD) [39274個在庫]

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品番:
FCMT099N65S3
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCMT099N65S3 製品の属性

品番 : FCMT099N65S3
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
シリーズ : SuperFET® III
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 99 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 3mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2270pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 227W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Power88
パッケージ/ケース : 4-PowerTSFN

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