C3M0075120J-TR 価格設定（USD） [7030個在庫]
- 1 pcs$5.86131
- 品番:
- C3M0075120J-TR
- メーカー:
- Cree/Wolfspeed
- 詳細な説明:
- 1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C3M0075120J-TR electronic components. C3M0075120J-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C3M0075120J-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C3M0075120J-TR 製品の属性
品番 :
C3M0075120J-TR
メーカー :
Cree/Wolfspeed
説明 :
1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON
シリーズ :
C3M™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
15V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
51nC @ 15V
Vgs（最大） :
+15V, -4V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1350pF @ 1000V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
113.6W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263-7
パッケージ/ケース :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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