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- 品番:
- BSS84PL6327HTSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSS84PL6327HTSA1 electronic components. BSS84PL6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS84PL6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSS84PL6327HTSA1 製品の属性
品番 :
BSS84PL6327HTSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
170mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 20µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
19pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
360mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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