BSC018NE2LSIATMA1 価格設定（USD） [159811個在庫]
- 1 pcs$0.23145
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC018NE2LSIATMA1 electronic components. BSC018NE2LSIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC018NE2LSIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC018NE2LSIATMA1 製品の属性
品番 :
BSC018NE2LSIATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
29A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2500pF @ 12V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 69W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FDS5672_F095
- AON6428_103
- SCH1439-TL-W
- N0439N-S19-AY
- IXFR10N100Q
- DMP3025LK3-13-01
- UPA2821T1L-E1-AT
- RJK4002DPP-M0#T2
- BMS4003
- TK16A55D(STA4,Q,M)
- 2SK3704
- IPB096N03LGATMA1
- SIA419DJ-T1-GE3
- NTR4503NT1
- NTD24N06L-001
- IRF6629TRPBF
- IRF7453TRPBF
- IRFP064VPBF
- IRFZ46ZPBF
- SPP06N60C3XKSA1
- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
- IRF7807ZPBF
- IRL530STRL
- IRFBF20STRR
- IRFR9120NTRR
- IRL520
- PMN23UN,165
- PSMN085-150K,518
- STD8NM60N-1
- STP10NK50Z
- IPP65R190CFDAAKSA1
- SQP120P06-6M7L_GE3
- IXTA1N80
- AUIRFR2905Z
- IPA65R310CFDXKSA2
- BSC159N10LSFGATMA1
- STD37P3H6AG
- IRFH8330TRPBF