Nexperia USA Inc. - PMN27XPE,115

KEY Part #: K6416296

[12114個在庫]


    品番:
    PMN27XPE,115
    メーカー:
    Nexperia USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Nexperia USA Inc. PMN27XPE,115 electronic components. PMN27XPE,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMN27XPE,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMN27XPE,115 製品の属性

    品番 : PMN27XPE,115
    メーカー : Nexperia USA Inc.
    説明 : MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.4A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 3A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1.25V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 22.5nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±12V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1770pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 530mW (Ta), 8.33W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 6-TSOP
    パッケージ/ケース : SC-74, SOT-457

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5802TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • BS170

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • FDD7N20TM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

    • PSMN5R0-80PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

    • FDG410NZ

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.

    • SI1441EDH-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363.