SI5997DU-T1-GE3 価格設定（USD） [4186個在庫]
- 3,000 pcs$0.10409
- 品番:
- SI5997DU-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5997DU-T1-GE3 electronic components. SI5997DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5997DU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5997DU-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI5997DU-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
54 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
430pF @ 15V
パワー-最大 :
10.4W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® ChipFET™ Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® ChipFet Dual
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- VMM90-09P
- TPC8405(TE12L,Q,M)
- GWM180-004X2-SLSAM
- GWM180-004X2-SL
- BUK9MNN-65PKK,518
- SI7905DN-T1-E3
- SP8J5FU6TB
- IRF7309PBF
- EPC2105ENG
- APTC90AM60SCTG
- APTC60DSKM70T1G
- UPA2670T1R-E2-AX
- AO5800E
- ECH8672-TL-H
- AON4605
- IRLHS6376TR2PBF
- SI6933DQ-T1-GE3
- SI4622DY-T1-GE3
- ALD1115MAL
- MP6K31TR
- SP8K1FU6TB
- NTHD4102PT3G
- SIA914DJ-T1-E3
- SI9933BDY-T1-E3
- SI4834BDY-T1-E3
- NTJD2152PT2G
- FDW2510NZ
- ZXMC4A16DN8TC
- NTJD4001NT1
- TPC8207(TE12L)
- IRF7106
- PMWD20XN,118
- SI7540ADP-T1-GE3
- SQJ262EP-T1_GE3
- IPG20N10S4L35AATMA1
- SH8M13GZETB
- SH8K41GZETB
- SIA921EDJ-T4-GE3
- QH8KA2TCR
- BSD235CH6327XTSA1