IXYS - IXTP1R6N100D2

KEY Part #: K6394959

IXTP1R6N100D2 価格設定(USD) [50552個在庫]

  • 1 pcs$0.85509
  • 50 pcs$0.85083

品番:
IXTP1R6N100D2
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTP1R6N100D2 electronic components. IXTP1R6N100D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP1R6N100D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP1R6N100D2 製品の属性

品番 : IXTP1R6N100D2
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 27nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 645pF @ 25V
FET機能 : Depletion Mode
消費電力(最大) : 100W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3