Infineon Technologies - IPT012N08N5ATMA1

KEY Part #: K6401984

IPT012N08N5ATMA1 価格設定(USD) [23936個在庫]

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品番:
IPT012N08N5ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPT012N08N5ATMA1 製品の属性

品番 : IPT012N08N5ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 300A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.8V @ 280µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 223nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 17000pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 375W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-HSOF-8-1
パッケージ/ケース : 8-PowerSFN

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