Vishay Semiconductor Diodes Division - FA57SA50LC

KEY Part #: K6414637

[12686個在庫]


    品番:
    FA57SA50LC
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FA57SA50LC electronic components. FA57SA50LC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FA57SA50LC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FA57SA50LC 製品の属性

    品番 : FA57SA50LC
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 57A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 80 mOhm @ 34A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 338nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 10000pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 625W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227
    パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC

    あなたも興味があるかもしれません
    • 94-2335

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

    • IRLR8503

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRFR18N15D

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.

    • IRLR3303TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

    • IRLR3103TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

    • IRFI9634G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP.