Infineon Technologies - IPS65R1K4C6AKMA1

KEY Part #: K6400985

IPS65R1K4C6AKMA1 価格設定(USD) [88227個在庫]

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品番:
IPS65R1K4C6AKMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPS65R1K4C6AKMA1 製品の属性

品番 : IPS65R1K4C6AKMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 225pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 28W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO251-3
パッケージ/ケース : TO-251-3 Stub Leads, IPak

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