Diodes Incorporated - DMN2230UQ-7

KEY Part #: K6411715

DMN2230UQ-7 価格設定(USD) [674610個在庫]

  • 1 pcs$0.05483
  • 3,000 pcs$0.04939

品番:
DMN2230UQ-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 2A SOT23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2230UQ-7 electronic components. DMN2230UQ-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2230UQ-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2230UQ-7 製品の属性

品番 : DMN2230UQ-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 188pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 600mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR7843TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 161A DPAK.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • FDN308P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3.