[1258個在庫]
- 品番:
- SI2303BDS-T1
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI2303BDS-T1 electronic components. SI2303BDS-T1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2303BDS-T1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI2303BDS-T1 製品の属性
品番 :
SI2303BDS-T1
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.49A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
200 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
180pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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