Vishay Siliconix - SI2323DS-T1

KEY Part #: K6406616

[1258個在庫]


    品番:
    SI2323DS-T1
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI2323DS-T1 製品の属性

    品番 : SI2323DS-T1
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
    シリーズ : TrenchFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.7A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 19nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±8V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1020pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 750mW (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)
    パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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