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- 品番:
- IXFC16N80P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFC16N80P electronic components. IXFC16N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFC16N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFC16N80P 製品の属性
品番 :
IXFC16N80P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
シリーズ :
HiPerFET™, PolarHT™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
650 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
71nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS220™
パッケージ/ケース :
ISOPLUS220™
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