IXYS - IXTM6N90A

KEY Part #: K6400880

[8843個在庫]


    品番:
    IXTM6N90A
    メーカー:
    IXYS
    詳細な説明:
    POWER MOSFET TO-3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in IXYS IXTM6N90A electronic components. IXTM6N90A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM6N90A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTM6N90A 製品の属性

    品番 : IXTM6N90A
    メーカー : IXYS
    説明 : POWER MOSFET TO-3
    シリーズ : -
    部品ステータス : Last Time Buy
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.4 Ohm @ 3A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 130nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2600pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 180W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-204AA
    パッケージ/ケース : TO-204AA, TO-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IXTY1R4N60P TRL

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • FDD8444-F085P

      ON Semiconductor

      NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM.

    • FDD4243-F085P

      ON Semiconductor

      PMOS DPAK 40V 44 MOHM.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.