Vishay Siliconix - SI7374DP-T1-GE3

KEY Part #: K6395931

SI7374DP-T1-GE3 価格設定(USD) [52486個在庫]

  • 1 pcs$0.74498
  • 3,000 pcs$0.69732

品番:
SI7374DP-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI7374DP-T1-GE3 electronic components. SI7374DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7374DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7374DP-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI7374DP-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.5 mOhm @ 23.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.8V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5500pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 5W (Ta), 56W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

あなたも興味があるかもしれません