Rohm Semiconductor - R6007ENX

KEY Part #: K6398411

R6007ENX 価格設定(USD) [54689個在庫]

  • 1 pcs$0.78603
  • 10 pcs$0.70826
  • 100 pcs$0.56916
  • 500 pcs$0.44267
  • 1,000 pcs$0.34695

品番:
R6007ENX
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor R6007ENX electronic components. R6007ENX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6007ENX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6007ENX 製品の属性

品番 : R6007ENX
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 7A TO220
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 620 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 390pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 40W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220FM
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • SPA04N80C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP.

  • RCX220N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 22A TO220.

  • TK20A60W,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS.

  • R6009ENX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220.