Microsemi Corporation - APT50M65B2LLG

KEY Part #: K6392634

APT50M65B2LLG 価格設定(USD) [3477個在庫]

  • 1 pcs$13.70441

品番:
APT50M65B2LLG
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50M65B2LLG 製品の属性

品番 : APT50M65B2LLG
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
シリーズ : POWER MOS 7®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 67A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 65 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 141nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7010pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 694W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™ [B2]
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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