Vishay Siliconix - SIHF12N65E-GE3

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SIHF12N65E-GE3 価格設定(USD) [32358個在庫]

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品番:
SIHF12N65E-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHF12N65E-GE3 製品の属性

品番 : SIHF12N65E-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1224pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 33W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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