STMicroelectronics - STN2NE10L

KEY Part #: K6415696

[12321個在庫]


    品番:
    STN2NE10L
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in STMicroelectronics STN2NE10L electronic components. STN2NE10L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STN2NE10L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STN2NE10L 製品の属性

    品番 : STN2NE10L
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
    シリーズ : STripFET™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.8A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 400 mOhm @ 1A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 345pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 2.5W (Tc)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223
    パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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