Infineon Technologies - IPP80N06S209AKSA2

KEY Part #: K6399539

IPP80N06S209AKSA2 価格設定(USD) [54371個在庫]

  • 1 pcs$0.62297
  • 10 pcs$0.55315
  • 100 pcs$0.43708
  • 500 pcs$0.32064
  • 1,000 pcs$0.25314

品番:
IPP80N06S209AKSA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPP80N06S209AKSA2 electronic components. IPP80N06S209AKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP80N06S209AKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80N06S209AKSA2 製品の属性

品番 : IPP80N06S209AKSA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 9.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 125µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2360pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 190W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • TN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3.

  • VN0300L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3.

  • TP0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • VN2406L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.