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- 品番:
- NVD5802NT4G-TB01
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 101A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVD5802NT4G-TB01 electronic components. NVD5802NT4G-TB01 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVD5802NT4G-TB01, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVD5802NT4G-TB01 製品の属性
品番 :
NVD5802NT4G-TB01
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 40V 101A DPAK
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
16.4A (Ta), 101A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5300pF @ 12V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK (SINGLE GAUGE)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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