FQB34N20LTM 価格設定（USD） [70894個在庫]
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- 品番:
- FQB34N20LTM
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQB34N20LTM electronic components. FQB34N20LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB34N20LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB34N20LTM 製品の属性
品番 :
FQB34N20LTM
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
31A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
75 mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
72nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3900pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.13W (Ta), 180W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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