FQB34N20LTM 価格設定（USD） [70894個在庫]
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- 品番:
- FQB34N20LTM
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQB34N20LTM electronic components. FQB34N20LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB34N20LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB34N20LTM 製品の属性
品番 :
FQB34N20LTM
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
31A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
75 mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
72nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3900pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.13W (Ta), 180W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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