説明 :
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
3A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
39nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1100pF @ 25V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB