IXYS - IXFT4N100Q

KEY Part #: K6416542

IXFT4N100Q 価格設定(USD) [15205個在庫]

  • 1 pcs$3.13251
  • 30 pcs$3.11693

品番:
IXFT4N100Q
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFT4N100Q electronic components. IXFT4N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT4N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT4N100Q 製品の属性

品番 : IXFT4N100Q
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 1.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1050pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 150W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

あなたも興味があるかもしれません
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • IRLR8743TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 160A DPAK.

  • TK35A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO-220.

  • IRFI4321PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • TK31A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS.