Infineon Technologies - IRFH8307TRPBF

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IRFH8307TRPBF 価格設定(USD) [106505個在庫]

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品番:
IRFH8307TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH8307TRPBF 製品の属性

品番 : IRFH8307TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
シリーズ : HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 42A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.35V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7200pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.6W (Ta), 156W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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