Vishay Siliconix - SI7530DP-T1-E3

KEY Part #: K6524388

[3848個在庫]


    品番:
    SI7530DP-T1-E3
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7530DP-T1-E3 electronic components. SI7530DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7530DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7530DP-T1-E3 製品の属性

    品番 : SI7530DP-T1-E3
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
    シリーズ : TrenchFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N and P-Channel
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3A, 3.2A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 75 mOhm @ 4.6A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
    パワー-最大 : 1.4W, 1.5W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8 Dual
    サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8 Dual