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- 品番:
- SI7530DP-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7530DP-T1-E3 electronic components. SI7530DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7530DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7530DP-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI7530DP-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A, 3.2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
75 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1.4W, 1.5W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8 Dual
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