IRFH5303TR2PBF 価格設定（USD） [3251個在庫]
- 400 pcs$0.34889
- 品番:
- IRFH5303TR2PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH5303TR2PBF electronic components. IRFH5303TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH5303TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH5303TR2PBF 製品の属性
品番 :
IRFH5303TR2PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
23A (Ta), 82A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.2 mOhm @ 49A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.35V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2190pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.6W (Ta), 46W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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