Infineon Technologies - SPP21N50C3XKSA1

KEY Part #: K6398268

SPP21N50C3XKSA1 価格設定(USD) [20024個在庫]

  • 1 pcs$1.73195
  • 10 pcs$1.54465
  • 100 pcs$1.26657
  • 500 pcs$0.97302
  • 1,000 pcs$0.82062

品番:
SPP21N50C3XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies SPP21N50C3XKSA1 electronic components. SPP21N50C3XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP21N50C3XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPP21N50C3XKSA1 製品の属性

品番 : SPP21N50C3XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2400pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 208W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.