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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC8018-H(TE12LQM) electronic components. TPC8018-H(TE12LQM) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8018-H(TE12LQM), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPC8018-H(TE12LQM) 製品の属性
品番 :
TPC8018-H(TE12LQM)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.6 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2265pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP (5.5x6.0)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
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