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- 品番:
- IPD60R450E6BTMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD60R450E6BTMA1 electronic components. IPD60R450E6BTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R450E6BTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD60R450E6BTMA1 製品の属性
品番 :
IPD60R450E6BTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
450 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 280µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
620pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
74W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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