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ON Semiconductor - FQA6N90C-F109

KEY Part #: K6398532

FQA6N90C-F109 価格設定（USD） [28512個在庫]

  • 1 pcs$1.44550
品番:
FQA6N90C-F109
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQA6N90C-F109 electronic components. FQA6N90C-F109 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA6N90C-F109, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQA6N90C-F109 製品の属性

品番 : FQA6N90C-F109
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 2.3 Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1770pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 198W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PN
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3

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