PSMN6R3-120ESQ 価格設定（USD） [33519個在庫]
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- 品番:
- PSMN6R3-120ESQ
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN6R3-120ESQ electronic components. PSMN6R3-120ESQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN6R3-120ESQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN6R3-120ESQ 製品の属性
品番 :
PSMN6R3-120ESQ
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
120V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
70A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
207.1nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
11384pF @ 60V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
405W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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