IRL80HS120 価格設定（USD） [202844個在庫]
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- 4,000 pcs$0.14105
- 品番:
- IRL80HS120
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRL80HS120 electronic components. IRL80HS120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL80HS120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL80HS120 製品の属性
品番 :
IRL80HS120
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
32 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 10µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
540pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
11.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-PQFN (2x2)
パッケージ/ケース :
6-VDFN Exposed Pad
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