Cree/Wolfspeed - C3M0065090J

KEY Part #: K6417024

C3M0065090J 価格設定(USD) [8619個在庫]

  • 1 pcs$4.78159

品番:
C3M0065090J
メーカー:
Cree/Wolfspeed
詳細な説明:
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Cree/Wolfspeed C3M0065090J electronic components. C3M0065090J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C3M0065090J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C3M0065090J 製品の属性

品番 : C3M0065090J
メーカー : Cree/Wolfspeed
説明 : MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
シリーズ : C3M™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 15V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30nC @ 15V
Vgs(最大) : +19V, -8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 660pF @ 600V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 113W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK-7
パッケージ/ケース : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.